چکیده مقاله
اکسیداسیون حرارتی سیلیکون یکی از فرآیندهای کلیدی در فناوری ساخت ادوات نیمه هادی است که امکان ایجاد لایه ای یکنواخت از دی اکسید سیلیکون بر سطح ویفر را فراهم می کند این لایه به دلیل خواص دی الکتریک مطلوب و سازگاری مناسب با بستر سیلیکون، نقشی تعیین کننده در ساخت ترانزیستورهای MOS دارد در این مقاله، فرآیند اکسیداسیون حرارتی با تمرکز بر مکانیسم های فیزیکی و شیمیایی رشد لایه اکسید مورد تحلیل قرار می گیرد ابتدا واکنش های اصلی تشکیل SiO₂ معرفی شده و سپس رفتار زمانی رشد اکسید بر اساس مدل کلاسیک Deal–Grove تفسیر می شود در ادامه، تفاوت میان روش های اکسیداسیون خشک و مرطوب از نظر نرخ رشد و کیفیت الکتریکی بررسی شده و اثر پارامترهایی نظیر دما، جهت بلوری ویفر و ناخالصی ها بر ویژگی های لایه اکسید تحلیل می شود نتایج این بررسی نشان می دهد که انتخاب صحیح شرایط فرآیندی نقش اساسی در دستیابی به لایه های اکسید با کیفیت بالا و بهبود عملکرد ترانزیستورهای MOS دارد
کلیدواژهها
نویسندگان
علی آریائی
۱ دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده میکروالکترونیک، دانشگاه جامع امام حسین ع ، شهر تهران، کشور ایران
سید محمد علوی
۲ دانشیار دانشکده میکروالکترونیک، دانشگاه جامع امام حسین ع ، شهر تهران، کشور ایران
شیوه ارجاع
�ریائی، علی و علوی، سید محمد،1404،بررسی فرآیند اکسیداسیون حرارتی سیلیکون و نقش آن در فناوری ساخت ادوات MOS،بیست و نهمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک،شیروان
ارائهشده در
مجموعه مقالات بیست و نهمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک28 بهمن 1404 · شیروان