تاثیر دمای اکسیداسیون بر خواص فیزیکی و الکتریکی اکسید گیت ساماریوم بر روی زیر لایه سیلیسیم

چکیده مقاله

اکسیداسیون حرارتی فیلم فلزی ساماریوم خالص 150 نانومتر بر روی بستر سیلیکون در محیط اکسیژن در دماهای مختلف 600 تا 900درجه سانتیگراد به مدت 15 دقیقه و تاثیر دمای اکسیداسیون بر روی ساختاری ، شیمیایی و خواص الکتریکی لایه های ساماریوم حاصل بررسی شده است تبلور فیلم های ساماریوم و وجود یک لایه بین سطحی توسط آنالیز پراش اشعه x XRD ، طیف سنجی مادون قرمز تبدیل فوریه FTIR و آنالیز رامان مورد بررسی قرار گرفت اندازه کریستالی و میکرواسترین Sm203 توسط تجزیه و تحلیل نقشه ویلیامسون ها هال W H ، با مقایسه نمونه سابق با اندازه بلوری Sm203 که با استفاده از معادله Scherrer محاسبه شده است استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری با وضوح بالا HRTEM با تجزیه و تحلیل طیف سنجی پراکندگی انرژی اشعه ایکس EDX برای بررسی مورفولوژی مقطعی و توزیع شیمیایی مناطق انتخاب شده انجام شد انرژی فعال سازی یا سرعت رشد هر لایه انباشته شده از مدل آرنیوس محاسبه شد زبری سطح توپوگرافی لایه های Sm203 توسط میکروسکوپ نیروی اتمی AFM مورد بررسی قرار گرفت یک مدل فیزیکی مبتنی بر ماهیت نمیه پلی کریستالی لایه سطحی ارائه شده و توضیح داده شده است نتایج پشتیبانی از چنین مدلی توسط تجزیه و تحلیل های HRTEM،EDX،Raman،XRD،FTIR بدست آمد خصوصیات الکتریکی نشان داد که دمای اکسیداسون در 700 درجه سانتیگراد بالاترین والتاژ شکست، کمترین چگالی جریان نشت، و بالاترین مقدار ارتفاع مانع را به همرا داشت

نویسندگان

آرمین یحیوی ساروئی

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه جامع امام حسین ع

سید محمد علوی

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه جامع امام حسین ع

یحیوی ساروئی، آرمین و علوی، سید محمد،1398،تاثیر دمای اکسیداسیون بر خواص فیزیکی و الکتریکی اکسید گیت ساماریوم بر روی زیر لایه سیلیسیم،پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق،کامپیوتر و مکانیک،شیروان

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات ششمین کنفرانس ملی مهندسی برق،کامپیوتر و مکانیک28 اسفند 1398 · شیروان