چکیده مقاله
این مقاله در خصوص معماری تقویت کننده OTA کسکود تاشده یک مرحله ای می باشد که کلیه ی ترانزیستور های MOSFET آن با مدل ترانزیستورهای اثر میدانی ساخته شده با نانو لوله های کربنی CNTFET جایگزین گردیده است در این مقاله ساختار یک تقویت کننده OTA کسکود تاشده خودجبران با استفاده از ترانزیستور CNTFET طراحی و نتایج آن مورد بررسی قرار گرفته است با استفاده از تقویت کننده OTA کسکود تاشده خودجبران مبتنی بر ترانزیستور CNTFET توانستیم به مداری با توان مصرفی بسیار کم و پهنای باند مناسب دست یابیم نتایج به دست آمده با شبیه سازی نرم افزار HSPICE نشان می دهد که تقویت کننده طراحی شده توانایی به دست آوردن گین ولتاژ DC تا ۸۱ دسی بل و پهنای باند گین واحد ۲۵ مگا هرتز و حاشیه فاز نسبتا مناسب ۹۰ درجه می باشد که نسبت به طراحی های مشابه از گین نسبتا بالاتر و توان مصرفی بسیار پایین برخوردار می باشد
کلیدواژهها
نویسندگان
اصغر زارعپور
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق مدارهای مجتمع الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس،هرمزگان،ایران
محمد هادی مزیدی
استادیار، گروه برق،دانشگاه آزاد اسلامی واحد قشم،هرمزگان،ایران
شیوه ارجاع
�ارعپور، اصغر و مزیدی، محمد هادی،1403،بهینه سازی تقویت کننده FCOTA تک مرحله ای خود جبران، با گین بالا و توان مصرفی کم مبتنی بر جایگزینی ترانزیستور های CNTFET به جای MOSFET،بیست و دومین کنفرانس ملی مهندسی برق،کامپیوتر و مکانیک،شیروان
ارائهشده در
مجموعه مقالات بیست و سومین کنفرانس ملی مهندسی برق، کامپیوتر و مکانیک23 مهر 1403 · شیروان