ارائه مدار معادل یک ترانزیستر اثر میدانی نانو لوله ای کربنی به منظور استفاده در شبیه سازی

چکیده مقاله

با ظهور تکنولوژی نانو لوله کربنی، بررسی مدار و سیستم عملکرد ادواتی که از این المان استفاده می کردند بسیار مهم شد در این مقاله، ما یک مدل شبه تحلیلی از یک ترانزیستور نانو لوله کربنی ساده را که بتوان از آن در نرم افزارهای شبیه سازی متداول همانند SPICE استفاده کرد ارائه می نماییم اصطلاح عبارت فرم نزدیک به فرم اصلی برای مشخصه جریان ولتاژ و بار ولتاژ بر پایه مدل فیزیکی قطعه بدست آمده است ما مشاهده کردیم که شبه مدل تحلیلی ارائه شده از ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی توسط ما در طیف گسترده ای جهت بررسی عملکرد و محدوده کاری مدارهای دیجیتال بسیار مناسب می باشد و تا حدود بسیار زیادی با مدل فیزیکی ترانزیستور مطابقت دارد

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

محمدعلی اسکندری

دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، گروه برق الکترونیک ، بوشهر ، ایران

محمد عروتی نیا

دانشکده علمی کاربردی پست و مخابرات تهران، گروه برق الکترونیک، تهران، ایران

زهیر کردرستمی

دانشکده مهندسی برق و الکترنیک دانشگاه صنعتی شیراز، گروه برق الکترونیک ، شیراز ، ایران

�سکندری، محمدعلی و عروتی نیا، محمد و کردرستمی، زهیر،1395،ارائه مدار معادل یک ترانزیستر اثر میدانی نانو لوله ای کربنی به منظور استفاده در شبیه سازی،دومین کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی در مهندسی برق و علوم کامپیوتر،رامسر

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات سومین کنفرانس سراسری نوآوری های اخیر در مهندسی برق و کامپیوتر19 شهریور 1395 · تهران