چکیده مقاله
با پیشرفت تکنولوژی و نیاز به کوچک سازی هر چه بیشتر ترانزیستورهای ماسفت برای افزایش کارایی در مدارهای مجتمع، آثاری مخرب و منفی در مشخصات الکتریک و قابلیت اطمینان این ترانزیستورها بوجود می آید که به آثار کانال کوتاه معروف اند این آثار مخرب غالبا به علت کاهش قابلیت کنترل کنندگی گیت بر ناحیه کانال بوجود می آید در این مقاله ساختار جدیدی به نام ترانزیستور FinFET به صورت سیلیسیم روی عایق سه گیت ارائه شده است تا باا افزایش قابلیت کنترل کنندگی گیت باعث کاهش اثر کانال کوتاه در این نوع ترانزیستورها می شود
کلیدواژهها
نویسندگان
حامد حبیبی
فارغ التحصیل مقطع کارشناسی دانشگاه صنعتی همدان
شیوه ارجاع
�بیبی، حامد،1398،اثر تابع کار فلزات مختلف گیت بر روی ترانزیستورهای FinFET،ششمین کنگره ملی تازه های مهندسی برق و کامپیوتر ایران با نگاه کاربردی بر انرژی های نو،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات هفتمین کنگره ملی تازه یافته های مهندسی برق ایران20 خرداد 1399 · تهران