استفاده از ترانزیستورهای نانو کربنی برای کاهش توان مصرفی و تاخیر در تقسیم کننده ها

چکیده مقاله

امروزه نانوکربن ها بخاطر توانایی منحصر به فردشان از جمله ابعاد کوچک، سرعت زیاد و توان مصرفی پایین توجه بسیاری ازدانشمندان را در به استفاده از آنها در طراحی مدارها جلب کرده است ترانزیستورهای اثر میدانی که با استفاده از نانو لوله های تکبعدی نیمه رسانا ساخته می شوند، در مقایسه با ترانزیستورهای سیلیکونی دارای سرعت و توان مصرفی و PDP بهتر می باشند همینویژگی ها باعث شده است که استفاده از این ترانزیستورها منجر به ارایه مدارهای بهینه تر نسبت به مدارهای نسل گذشته گردد ازجمله این مدارها می توان به تقسیم کننده ها اشاره کرد که نقش مهمی در طراحی های مدارهای پیچیده تر دارد در این مقاله مروری برکارهای گذشته در استفاده از این فنآوری در طراحی مدارهای پایه و علی الخصوص تقسیم کننده ها صورت گرفته است

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

مهسا اطیار

دانشکده مهندسی کامپیوتر، واحد نجف آباد ، دانشگاه آزاد اسلامی ، نجف آباد ، ایران

محمدرضا رشادی نژاد

دانشکده مهندسی کامپیوتر، واحد نجف آباد ، دانشگاه آزاد اسلامی ، نجف آباد ، ایران

مینا زمین کار

دانشکده مهندسی کامپیوتر ، دانشگاه اشرفی اصفهانی ، اصفهان،ایران

�طیار، مهسا و رشادی نژاد، محمدرضا و زمین کار، مینا،1395،استفاده از ترانزیستورهای نانو کربنی برای کاهش توان مصرفی و تاخیر در تقسیم کننده ها،کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کامپیوتر،نجف آباد

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات دومین کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کامپیوتر29 آذر 1401 · نجف آباد