چکیده مقاله
این اولین آشکارساز GAaS که در رنج نوری 1 3 تا 1 5 میکرومتری کار می کند این آشکارساز ، یک دیود نوری پین است که لایه مرکب ذاتی GAaS را در دمای 225 درجه سانتی گراد رشد دادیم و متعاقبا در حرارت 600 درجه سانتی گراد هم رشد دادیم فرآیند رشد همان طور که شرح داده میشود با غلظت بالا ساخته میشود و از رسوب As در منطقه رشد دمای پایین است ما اینجا اثر جذب را از طریق خروج الکترون از داخل فلز در اثر نیروی ناشی از نور و را نشان میدهیم و همچنین پیدا کرده کردیم ارتفاع سد شاتکی را در حدود 657 پیدا کردیم و نفوذ با حساسیت قابل قبول در حدود 1 7 میکرومتر در دمای اتاق است
کلیدواژهها
نویسندگان
محمدحسین پارسا
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه جامع امام حسین ع
Seyed Mohammad Alavi
استادیار، دانشگاه جامع امام حسین ع
شیوه ارجاع
پارسا، محمدحسین و علوی، سیدمحمد،1393،رسوبات آرسینک استفاده شده در ترکیبات دوتایی نیمه هادی در آشکارسازهای نوری فتو دیود پین در رنج میکرومتری،سومین همایش سراسری علوم و مهندسی دفاعی در سپاه،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات سومین همایش سراسری علوم و مهندسی دفاعی در سپاه5 اسفند 1393 · تهران