بررسی تاثیر تغییر ساختار و ناهمواری لبه های نوار گرافن بر روی مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور اثر میدانی نوار گرافنی

چکیده مقاله

در این مقاله ما قصد داریم با استفاده از شبیه سازی سه بعدی اتم های گرافن، نوار گرافنی میگویند که بر پایه حل سه بعدی معادله پواسون و شرودینگر با شرایط مرزی آزاد در تابع گرین در حالت نامتعادل می باشد ما نشان خواهیم داد که ترانزیستورهای نوار گرافنی دارای عملکرد قابل مقایسه با ترانزیستورهای نانو لوله ای کربنی بوده، و تا حد زیادی تحت تاثیر عرض کانال و ناهمواری های لبه ها و همجنین ایاد تعییر شک در فاصله هوایی نوار گرافن می باشند

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

محمدعلی اسکندری

دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، گروه برق الکترونیک ، بوشهر ، ایران

محمد عروتی نیا

دانشکده علمی کاربردی پست و مخابرات تهران، گروه برق الکترونیک، تهران، ایران

زهیر کردرستمی

دانشکده مهندسی برق و الکترنیک دانشگاه صنعتی شیراز، گروه برق الکترونیک ، شیراز ، ایران

�سکندری، محمدعلی و عروتی نیا، محمد و کردرستمی، زهیر،1395،بررسی تاثیر تغییر ساختار و ناهمواری لبه های نوار گرافن بر روی مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور اثر میدانی نوار گرافنی،دومین کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی در مهندسی برق و علوم کامپیوتر،رامسر

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات دومین کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی در مهندسی برق و علوم کامپیوتر24 اردیبهشت 1395 · رامسر