بررسی تغییرات ترارسانایی و منحنی نویز بهینه در ترانزیستورهای مسفت گالیوم نیترید

چکیده مقاله

تکنولوژی نیمه هادی مدرن منجر به تغییرات مناسب قطعات می شود و نقش مهمی را در زندگی روزمره ایفا می کند اساس ساخت پردازشگرها و تمام دستگاه هایی که به نحوی اطلاعات و عملیاتی را پردازش می کنند، از کامپیوتر شخصی گرفته تا دستگاه های عکس برداری پزشکی و نیمه هادی هاست قطعات مبتنی بر نیمه هادی های گروه 3 به ویژه نیمه هادی گالیوم نیترید به دلیل خواص ذاتی ماده , نوید قطعاتی با قدرت بالا , فرکانس بالا و توان مصرفی پایی را می دهد امروزه استفاده از موادی همچون گالیوم نیترید که دارای باند انرژی گاف پهن هستند و به علت هدایت حرارتی خوب و ثابت در الکتریک کوچک از آن ها در کاربردهایی با توان بالا، دمای بالا و ادوات الکترونیکی در محیط های تابشی سخت مناسب کرده است ترانزیستورهای مسفت به علت سادگی در ساختارشان جهت تحلیل، عدم داشتن مشکلات انتشار ناخالصی و لایه های با چگالی متراکم یکی از بهترین ادوات مورد توجه در ساختار مدارهای مجتمع مقیاس بزرگ هستند در این پژوهش به بررسی تغییرات ترارسانایی و منحنی نویز بهینه به ازای تغییرات ولتاژ های درین سورس مختلف می پردازیم و اثرات مقاومت پارازیتی و تعدیلات طول گیت را بر پارامترهای مورد نظر بررسی می شود

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

رقیه فرشاد

دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

سید صالح قریشی

دکترای برق الکترونیک، استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

حبیب اله آدرنگ

دکترای برق الکترونیک، استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

فرشاد، رقیه و قریشی، سید صالح و آدرنگ، حبیب اله،1395،بررسی تغییرات ترارسانایی و منحنی نویز بهینه در ترانزیستورهای مسفت گالیوم نیترید،سومین کنفرانس سراسری نوآوری های اخیر در مهندسی برق و کامپیوتر،تهران

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات سومین کنفرانس سراسری نوآوری های اخیر در مهندسی برق و کامپیوتر19 شهریور 1395 · تهران