چکیده مقاله
تقویتکننده عملیاتی CMOS دو طبقه با بهره بسیار بالا 137 dB و ساختار سادهای بر طبق معماری کلاسیک ویدلر ارایه شده است طبقه ورودی تفاضلی تقویتکننده عملیاتی مطرح شده، با ترکیب نسبت معکوس ابعاد ساختارهای خودکسکودی که برای بهرهبرداری در ناحیه زیرآستانه بایاس شدهاند، تکمیل میگردد تا حداقلسازی خازن جبرانکننده کلاسیک به 0 1 pF صورت پذیرد و به ذخیرهسازی قابل توجهی در سطح اشغال شده تراشه منجر گردد به منظورمقایسه عملکرد تقویتکننده عملیاتی پیشنهادی با طرحهای قبلا گزارش شده، شبیهسازیهای ADS از تکنولوژی 0 18μm CMOS با ولتاژ منبع ±1 V اجرا شدهاند تقویتکننده عملیاتی پیشنهادی، حاصلضرب بهره پهنای باند بهتر 1 37 MHz ، مصرف توان کمتر 21 μW و سطح تراشه اشغال شده کوچکتر 2
کلیدواژهها
نویسندگان
الهام خوب جو
دانشجوی دکترا رشته برق الکترونیک دانشگاه آزاد واحد گرمسار ایران
حسن خالصی
عضو هیات علمی گروه برق دانشگاه آزاد واحد گرمسارایران
شیوه ارجاع
�وب جو، الهام و خالصی، حسن،1395،اپ امپ با بهره بسیار بالا مبتنی بر ساختارهای خودکسکود CMOS،چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر23 دی 1395 · تهران