چکیده مقاله
در این مقاله یک نوسان ساز کنترل شونده با ولتاژ با استفاده از تکنیک شیفت بایاس به منظور تغییر مشخصهی ورکتور و افزایش میزان خطینگی VCO طراحی شده است با استفاده از 3 ورکتور A MOS و 6 ورکتور I MOS که به صورت موازی در مدار قرار گرفته اند ، بایاس شیفت داده شده و خطینگی کمتر از %6 2 به دست آمده است این تکنیک توسط نرم افزار Cadence IC Design در تکنولوژی 180 نانومتر TSMC CMOS شبیه سازی شده است VCO ارائه شده دارای نویز فاز 118 6dBc/Hz در آفست فرکانس 1MHz در فرکانس 2 6GHz را نشان میدهد و این در حالی است که ΔKVCO مدار در محدوده ی فرکانسی از 2 09 2 58GHz کمتر از 6 1 درصد از ΔKVCO ایده ال انحراف دارد و قابل ذکر است که توان مصرفی تحت تغذیه 1 8V ، 0 84mw میباشد
کلیدواژهها
نویسندگان
شیوه ارجاع
�یدری، رامین و چراغی شیرازی، نجمه و حمزه ئیان، روزبه،1399،طراحی یک اسیلاتور LC VCO جهت کاهش ΔKVCO و Phase Noise به روش شیفت بایاس در تکنولوژی استاندارد CMOS 0.18µm،هفتمین کنگره ملی تازه یافته های مهندسی برق ایران،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات هفتمین کنگره ملی تازه یافته های مهندسی برق ایران20 خرداد 1399 · تهران