چکیده مقاله
در این مقاله، به طراحی تقویت کننده توان کلاس F در فناوری ۱۸۰نانومتری CMOS با بیشترین بازده پرداخته شده است به علت وجود بار پارازیتی قابل تنظیم برای کنترل هارمونیک های مرتبه زوج، کلاس F انتخاب مناسبی برای این منظور است در موج میلی متری ، ظرفیت خازنی گیت درین توان ذخیره شده منفی در شبکه تطبیق خروجی ایجاد می کند که سبب افت بازده توان کلاس F می شود برای رفع این مشکل از یک ترانسفورماتور با قابلت تنظیم ضریب تزویج بین گیت درین ترانزیستور استفاده شده است این تکنیک اجازه می دهد تا خنثی سازی خازنی گیت – درین تا حد قابل قبولی امکان پذیر شود و اثر بارگذاری منفی را تا حد ممکن کاهش دهد و با افزایش بهره وری توان، سبب پایداری تقویت کننده توان نیز می شود نتایج شبیه سازی نشان می دهد، بازده افزوده توان بیشتر از ۳۲ درصد در بازه فرکانسی ۲۷ ۳۳ گیگاهرتز و در بهترین حالت ۳۲ ۸ درصد در فرکانس ۲۷ گیگاهرتز است همچنین پیک توان خروجی به ۱۱ ۵ dBm در ۳۰ گیگاهرتز می رسد
کلیدواژهها
نویسندگان
سجاد ربیعی نیاری
۱ گروه مهندسی برق، واحد اردبیل، دانشگاه آزاد اسلامی، اردبیل، ایران
محمد قیامی
۱ گروه مهندسی برق، واحد اردبیل، دانشگاه آزاد اسلامی، اردبیل، ایران
شیوه ارجاع
�بیعی نیاری، سجاد و قیامی، محمد،1401،طراحی تقویت کننده توان کلاس F بهبود یافته در فناوری ۱۸۰- نانومتر CMOS برای نسل ۵ ارتباطات سیار،نهمین کنگره ملی تازه های مهندسی برق و کامپیوتر ایران،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات نهمین کنگره ملی تازه های مهندسی برق و کامپیوتر ایران29 آبان 1401 · تهران