طراحی یک تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی نانولوله های کربنی

چکیده مقاله

این مقاله، یک تقویت کننده ی عملیاتی به وسیله ی ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله ی کربنی تک دیواره در تکنولوژی 32نانومتر طراحی شده است این تقویت کننده با استفاده از مدل متداول تقویت کننده ی عملیاتی طراحی و عملکرد آن به وسیله ی تغییر تعدادو فاصله های نانولوله ها در CNTFET بهبود داده شده و دیگر پارامترهای طراحی مطابق با مدل استاندارد جهانی CNTFET درنظرگرفته شده است شبیه سازی بر مبنای ارزیابی اثر افزایشی نانولوله ها در ناحیه ی کانال صورت گرفته و بهبود تدریجی تمامیمشخصه ی عملکردی پارامترها در تقویت کننده های CNTFET را نشان می دهد بر مبنای شبیه سازی های صورت گرفته و نتایج حاصل از آن، تقویت کننده ی عملیاتی نانولوله ی کربنی پیشنهادی نوید بخش پیاده سازی مدارات آنالوگی در مقیاس نانو می باشد

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

نازنین زمانی

دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

مهدی دولتشاهی

دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

�مانی، نازنین و دولتشاهی، مهدی،1395،طراحی یک تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی نانولوله های کربنی،کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کامپیوتر،نجف آباد

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کامپیوتر3 اسفند 1395 · نجف آباد