چکیده مقاله
حافظه های SRAM در کاربرد های فراوانی همانند حافظه های کش Cache و به طور کلی حافظه های نزدیک به CPU مورد استفاده قرار میگیرند طراحی این حافظه ها و توجه به پارامترهای مهم و اساسی این حافظه ها به دلیل کاربرد فراوان، بسیار مهم می باشد سلول 7 ترانزیستوریارایه شده در این مقاله، دارای دو مسیر متفاوت برای عملیات خواندن و نوشتن است که باعث افزایش قابل توجه پارامتر RSNM شده است این سلول با فضای اشغالی مناسب و در تکنولوژی PTM 65nm CMOS شبیه سازی شده است بر اساس نتایج شبیه سازیهای انجام شده در نرم افزار Hspice، پارامتر RSNM در سلول پیشنهادی به اندازه 2 1X نسبت به سلول 7 ترانزیستوری بهبود یافته است همچنین با انتخاب سایزنامتقارن برای ترانزیستورهای بالاکش و پایین کش و اعمال بایاس بدنه به ترانزیستور دسترسی، پارامتر WM0 به اندازه 1 11X بهبود یافته است در نهایت مصرف توان استاتیک سلول پیشنهادی به میزان 7 61X نسبت به بهترین سلول 7 ترانزیستوری قبلی کاهش یافته است
کلیدواژهها
نویسندگان
افشین فرزانه
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
هومان فرخانی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
شیوه ارجاع
فرزانه، افشین و فرخانی، هومان،1395،طراحی یک سلول جدید حافظه از نوع 7 ترانزیستوری با پارامتر RSNM بهبود یافته، مناسب برای کاربردهای توان پایین،کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کامپیوتر،نجف آباد
ارائهشده در
مجموعه مقالات کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کامپیوتر3 اسفند 1395 · نجف آباد