چکیده مقاله
در این تحقیق لایه نازک سولفید کادمیم به روش لایه نشانی شیمیای تشکیل شد این پوشش بر روی دو زیر لایه شیشه پوشش داده شده با ITO Indium Tin Oxideو آلومینیم پوشش داده شده با لایه دی الکتریک SiO2 ایجاد شد با تغییر زمان پوشش دهی، تغییرات ضخامت پوشش بر روی ITOاندازه گیری شد و اثر آن بر روی شکاف انرژی بررسی شد همچنین اثر تغییر نسبت یونی S/Cd پوششهای زیر لایه SiO2 بر روی شکاف انرژی مورد آزمایش قرار گرفت مقدار شکاف انرژی در مورد زیر لایه آلومینیم بین 127/2 تا 199/2و با زیر لایه ITO بین9/1 تا 71/2 اندازه گیری شد
کلیدواژهها
نویسندگان
مهشید سام
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی مواد دانشگاه شیراز
میلاد مجتهدی
دانشجوی دکترای مهندسی مواد،دانشگاه علم و صنعت ایران
کمال جانقربان
استاد بخش مهندسی مواد دانشگاه شیراز
شیوه ارجاع
�ام، مهشید و مجتهدی، میلاد و جانقربان، کمال،1387،تاثیر ضخامت و نسبت غلظت یونی S/Cd بر روی شکاف انرژی لایه نازک نیم رسانای سولفید کادمیم،نهمین کنفرانس مهندسی ساخت و تولید،بیرجند
ارائهشده در
مجموعه مقالات نهمین کنفرانس مهندسی ساخت و تولید13 اسفند 1387 · بیرجند