چکیده مقاله
سرامیک TiB2 خالص و کامپوزیت های TiB2 به همراه 5 درصد وزنی Si3N4، Si3N4 به همراه 20 درصد حجمی SiC TiB2 SiC Si3N به وسیله تفجوشی پلاسمای جرقه ای SPS در دمای 1900 ͦc به مدت7 دقیقه با فشار 40 مگاپاسکال تولید گردید تحولات ریزساختاری کامپوزیت های پایه TiB2 به خاطر افزودن SiC و Si3N4 تحت تاثیر قرار گرفت چگالی نسبی و قابلیت تف جوشی کامپوزیت ها بهبود قابل توجهی پیدا کرد از آنالیزهای فازی XRD میکروسکوپی SEM و عنصری EDS و همچنین آزمون چگالی سنجی برای مشخصه یابی استفاده شد طبق این آنالیزها SiO2 ،TiN و نانو لایه BN در نمونه های TiB2 SiC TiB2 Si3N و 4 Si3N4 به خاطر واکنش شیمیایی Si3N و 4 SiC با ناخالصی های اکسیدی سطح ذراتTiO و 2 B2O3 TiB2 تشکیل یافت زدودن لایه های اکسیدی مضر و تشکیل فازهای ثانویه مختلف سبب جلوگیری از رشد دانه های زمینه TiB2 همچنین تکامل ریزساختاری و فازی سرامیک های پایه TiB2 شد به علاوه قابلیت تف جوشی پذیری با سازوکار تف جوشی فاز مایع در نتیجه تشکیل فاز مایع SiO2 افزایش پیدا کرد
کلیدواژهها
نویسندگان
شیوه ارجاع
�شتی گرمی، محمد و حمید زاده محاسنی، زهرا و احمدی، زهره و شاهدی اصل، مهدی،1397،ساخت کامپوزیت های پایه دیبورید تیتانیم با خواص بهبود یافته در اثر افزودن همزمان Si3N4 و SiC،پانزدهمین کنفرانس ملی و چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی ساخت و تولید،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات پانزدهمین کنفرانس ملی و چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی ساخت و تولید2 آبان 1397 · تهران