چکیده مقاله
در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز دو طبقه با استفاده از تکنیک استفاده مجدد جریان در هر دو طبقه و در پهنای باند فرکانسی بالا GHz 3 11 طراحی شده است از مزایای تکنیک استفاده مجدد جریان داشتن بهره بالا و توان مصرفی کم می باشد در این طراحی از فناوری CMOS 0 با عرض 0/13 میکرومتر و همچنین نرم افزار ADS جهت شبیه سازی مدار و بررسی نتایج استفاده شده است که نتایج حاصله بدین صورت است که مدار گین مسطحی در حدود 15 دسی بل با ضریب تلفات ورودی S11 کمتر از 13dB و ضریب تلفات خروجی S22 کمتر از 10dB و ایزولاسیون معکوس S12 کمتر از 30dB بدست می دهد توان مصرفی که از باطری 1 126v می کشد حدود 8 1 میلی وات می باشد و عدد نویز این مدار بین dB 3 1 9 بوده که از نقطه قوت این مدار به شمار می آید
کلیدواژهها
نویسندگان
شیوه ارجاع
محمدی زارچ، سید مرتضی و استوارزاده، محمدحسین،1395،طراحی تقویت کننده کم نویز بهینه با پهنای باند بسیار وسیع در تکنولوژی CMOS،سومین کنفرانس سراسری نوآوری های اخیر در مهندسی برق و کامپیوتر،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات سومین کنفرانس سراسری نوآوری های اخیر در مهندسی برق و کامپیوتر19 شهریور 1395 · تهران