چکیده مقاله
در این مقاله بازده کوانتومی و پهنای باند فتودیودهای PIN ، در شرایط تابش نور غیر یکنواخت با استفاده از مدلی کاملتربررسی شده است ناحیه جذب به تعداد لایه های دلخواه تقسیم و معادلات پیوستگی برای هر لایه بافرض اینکه در، هر لایه،سرعت رانش حامل ثابت باشد حل شده است اثر زمان گذر و اثرات خازنی پهنای باند با توجه به ولتاز بایاس، عرض ناحیه جذب و دما بررسی شده است وابستگی بازده کوانتومی نسبت به طول موج تجزیه تحلیل شده است
کلیدواژهها
نویسندگان
روشنک علیزاده
گروه مهندسی برق، واحد رشت، دانشگاه آزاد اسلامی، رشت، ایران
عباس قدیمی
گروه مهندسی برق، واحد لاهیجان، دانشگاه آزاد اسلامی، لاهیجان، ایران
شیوه ارجاع
�لیزاده، روشنک و قدیمی، عباس،1395،شبیه سازی و اثر پذیری بازده کوانتومی و پهنای باند از دما و اثرات خازنی در فتودیود های PIN،چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر23 دی 1395 · تهران