بررسی لایه محافظ با نفوذ ناخالصی در سنسور فشار پیزورزیستیو

چکیده مقاله

کاربردهای بسیار زیادی از سنسورهای فشار MEMS در صنایع مختلف وجود دارد این سنسورها بر اساس روش اندازهگیری، پیزورزیستیو یا خازنی میباشند در سنسورهای نوع پیزورزیستیو، اعمال فشار، باعث تغییر مقاومت المان پیزورزیستیو و در نوع خازنی باعث تغییر ظرفیت المان خازنی میشود سنسورهای پیزورزیستیو در مقایسه با سنسورهای خازنی از پایین بودن حساسیت برخوردارهستند, در مقالاتی که اخیرا0 منتشر شده است به بالا بودن اثر پیزورزیستیو در نانوسیم های سیلیکونی اشاره شده است در این مقاله با استفاده از تکنولوژی میکرو الکترومکانیک یک سنسور طراحی و شبیه سازی میشود و اثر ساختار طراحی شده بر حساسیت سنسور فشار میکروالکترومکانیک با مبدل پیزو مقاومتی بررسی و با استفاده از معادلات حاکم و شبیه سازی راهکارهایی جهت کاهش حساسیت دمایی ارایه می شود

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

زهرا رستمی بیستونی

دانش آموخته کارشناسی ارشد, گروه برق, دانشکده فنی مهندسی , دانشگاه آزاد اسلامی, واحد کرمانشاه, کرمانشاه,ایران

حمید شرافت وزیری

عضو هیات علمی, گروه برق, دانشکده فنی مهندسی , دانشگاه آزاد اسلامی, واحد کرمانشاه, کرمانشاه, ایران

�ستمی بیستونی، زهرا و شرافت وزیری، حمید،1397،بررسی لایه محافظ با نفوذ ناخالصی در سنسور فشار پیزورزیستیو،کنفرانس بین المللی نوآوری وتحقیق در علوم مهندسی(ICIRES ۲۰۱۸)

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات کنفرانس بین المللی نوآوری وتحقیق در علوم مهندسی(ICIRES ۲۰۱۸)27 تیر 1397