چکیده مقاله
یک روش جدید برای جلوگیری از کلوخه شدن نانو ذرات در حین انیل، استفاده از نانولوله های عاملداراست در این مقاله نانو ذرات FePt را با استفاده از یک روش پلی یل سنتز نموده و به روی نانولوله های عاملدار می نشانیم سپس نانوکامپوزیت تولید شده را با استفاده از روش dip coating روی زیر لایه هایی از جنس سیلیکون با و بدون حضور میدان لایه نشانی نموده و برای گذار از فاز fcc به فاز fct انیل مینماییم در طی آزمایش، اثرات حضور میدان مغناطیسی را حین لایه نشانی در خصوصیاتی همانند اندازه ی ذرات، ارتفاع پیکها، گذار فاز و میزان زبری سطح لایه نشانی شده را با استفاده از آنالیزهای TEM,AFM,SEM قبل و پس از انیل بررسی و مقایسه می نماییم
کلیدواژهها
نویسندگان
حسن عاشوری فر
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، واحد تهران شرق، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
رویا ملجائی
دانشکده فیزیک پلاسما، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
شیوه ارجاع
�اشوری فر، حسن و ملجائی، رویا،1395،اثرات سطحی میدان مغناطیسی روی نانوکامپوزیت FePt/CNT نشانده شده روی ویفر سیلیکون،اولین کنفرانس ملی مهندسی انرژی و نانو فناوری ایران،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات اولین کنفرانس ملی مهندسی انرژی و نانو فناوری ایران3 اسفند 1395 · تهران