بررسی اثر طول کانال در ترانزیستور نانومتری

چکیده مقاله

طبق قانون مور هر دو سال تعداد ترانزیستورهای موجود در یک تراشه دو برابر می شود که باعث افزایش سرعت عملکردترانزیستورها می شود ترانزیستورهای نانومتری دارای ابعاد کوچکی هستند و قدرت پردازش بالایی دارند در اینترانزیستور طول کانال تاثیر قابل توجهی در عملکرد ترانزیستور دارد در این تحقیق، کانال ترانزیستور از نانو لوله کربنیطراحی شده است و تاثیر طول کانال در عملکرد ترانزیستور نانومتری مورد بررسی قرار گرفته است نتایج تحقیق نشان دادهاست که افزایش طول کانال باعث کاهش مساحت لوزی کولنی ترانزیستور و نیز ناحیه فاقد جریان می شود بنابراین عملکردترانزیستور نانومتری را می توان با تنظیم طول کانال کنترل کرد

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

زهرا صداقت کهریز

گروه نانو فیزیک، دانشکده علوم ، دانشگاه ارومیه، ارومیه، ایران

محمدتقی احمدی

گروه نانو فیزیک، دانشکده علوم ، دانشگاه ارومیه، ارومیه، ایران پژوهشکده نانو فناوری ، گروه فیزیک ، دانشگاه ارومیه، ارومیه،ایران گروه الکترونیک ، پردیس دانشگاهی دانشگاه ارومیه ،ارومیه ، ایران

مهدی امنیت طلب

گروه نانو فیزیک، دانشکده علوم ، دانشگاه ارومیه، ارومیه، ایران

وحیده خادم حسینی

گروه الکترونیک ، پردیس دانشگاهی دانشگاه ارومیه ،ارومیه ، ایران

�داقت کهریز، زهرا و احمدی، محمدتقی و امنیت طلب، مهدی و خادم حسینی، وحیده،1397،بررسی اثر طول کانال در ترانزیستور نانومتری،دومین کنفرانس زیرساخت های انرژی،مهندسی برق و نانو فناوری،تهران

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات دومین کنفرانس زیرساخت های انرژی،مهندسی برق و نانو فناوری19 اردیبهشت 1397 · تهران