چکیده مقاله
دراین مقاله به بررسی اثر محدودیت کوانتومی بر ساختار باندهای ترانسیتورهای اثر میدان تونلی می پردازیم همچنین اثرات آن را بر رویمشخصات الکتریکی افزاره با تغییرات ضخامت کانال ترانزیستور بررسی میکنیم در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی از مکانیسم تونل زنی ازداخل سد پتانسیل برای حامل ها استفاده می شود و با بکارگیری تونل زنی باند به باند BTBT در این ترانزیستور می توان بر محدودیت هایی که با کاهش اندازه در ماسفت اتفاق می افتد غلبه کرد به منظور کوچک سازی بیشتر اجزای افزارها به مقیاس نانومتر، اثرات محدودیت کوانتومی نمایان می شوند با توجه به اینکه تونلزنی در محل اتصال سورس و کانال رخ میدهد بررسی دیاگرام باندها خصوصا برای ساختارهای ناهمگون بسیار مورد توجه قرار می گیرد
کلیدواژهها
نویسندگان
دانیال کیقبادی
دانشجو کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان
سعید محمدی
عضو هییت علمی دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان
شیوه ارجاع
کیقبادی، دانیال و محمدی، سعید،1397،بررسی اثر محدودیت کوانتومی در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی با ساختار ناهمگون،دومین کنفرانس زیرساخت های انرژی،مهندسی برق و نانو فناوری،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات دومین کنفرانس زیرساخت های انرژی،مهندسی برق و نانو فناوری19 اردیبهشت 1397 · تهران