بررسی مدل تحلیلی سرعت حامل ها در ترانزیستورهای اثر میدان گرافن نانو اسکرولی

چکیده مقاله

گرافن نانواسکرول به دلیل دارا بودن خواص و ویژگی های منحصر به فرد فیزیکی و الکترونیکی از جمله رسانندگیالکتریکی،گرمایی واپتیکی ، چگالی بالا و تحرک پذیری حامل های بار در سالهای اخیر مورد توجه قرار گرفته است در اینمقاله مدل سرعت حاملها در ترانزیستورهای اثر میدان بر پایه گرافن نانواسکرول به صورت تحلیلی ارایه می گردد این مدل برمبنای مدلهای تحلیلی مربوط به ساختار باند انرژی، دانسیته یا چگالی حالت ها و تراکم حامل ها بدست می آید نتایج بدست آمدهنشان می دهد که با افزایش انرژی فرمی نرمالیزه شده، سرعت حرکت حامل ها افزایش می یابد همچنین بررسی تاثیر پارامتردما بر سرعت حامل ها حاکی از آنست که رابطه ی مستقیمی بین تغییرات این دو برقرار بوده و با بالا رفتن دما سرعت حامل هاافزایش می یابد هدف نهایی این تحقیق، ارایه ی راهکاری برای مدلسازی تحلیلی ترانزیستورهای اثر میدان گرافن نانواسکرولی به منظور بهبود راندمان این افزاره ها در مقایسه با سایر ترانزیستور ها می باشد

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

فهیمه علی جانی

گروه نانوفناوری،دانشکده علوم،گروه فیزیک،دانشگاه ارومیه، ۵۷۱۴۷ ارومیه،ایران

میثم رحمانی

گروه تحقیقاتی نانو الکترونیک،دانشکده برق،دانشگاه تکنولوژی مالزی، ۸۱۳۱۰ جوهور،مالزی

زهرا قربانی

گروه نانوفناوری،دانشکده علوم،گروه فیزیک،دانشگاه ارومیه، ۵۷۱۴۷ ارومیه،ایران

محمدتقی احمدی

گروه نانوفناوری،دانشکده علوم،گروه فیزیک،دانشگاه ارومیه، ۵۷۱۴۷ ارومیه،ایران گروه تحقیقاتی نانو الکترونیک،دانشکده برق،دانشگاه تکنولوژی مالزی، ۸۱۳۱۰ جوهور،مالزی

�لی جانی، فهیمه و رحمانی، میثم و قربانی، زهرا و احمدی، محمدتقی،1397،بررسی مدل تحلیلی سرعت حامل ها در ترانزیستورهای اثر میدان گرافن نانو اسکرولی،دومین کنفرانس زیرساخت های انرژی،مهندسی برق و نانو فناوری،تهران

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات دومین کنفرانس زیرساخت های انرژی،مهندسی برق و نانو فناوری19 اردیبهشت 1397 · تهران