چکیده مقاله
در این مقاله برخی خواص الکترونیکی ترکیب Ca3TaGa3Si2O14 CTGS در فاز هگزاگونال و گروه فضایی P321 و ثابت های شبکه a=8 1056 2 Å ,c=4 9800 1 Å ,z=1 بدست اورده شده است از جمله این خواص می توان به چگالی ابرالکترونی، ساختار نواری و چگالی حالت ها اشاره کرد که اشکال هر مورد گنجانده شده است برای تهیه این خواص از کد محاسباتی Wien2k استفاده شده است محاسبات این کد با بکارگیری تقریب شیب تعمیم یافته GGA و روش پتانسیل کامل به همراه امواج تخت تقویت شده خطی FL_LAPW در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی DFT بوده است بررسی چگالی کل ترکیب و ساختار نواری نشان می دهد که گاف نواری آن غیرمستقیم بوده و برابر 4/1v می باشد
کلیدواژهها
نویسندگان
اسمعیلی کرناوه عاطفه
دانشجوی ارشد دانشکده علوم پایه فیزیک دانشگاه حکیم سبزواری
جواد باعدی
استادیار، دانشکده علوم پایه فیزیک، دانشگاه حکیم سبزواری
شیوه ارجاع
کرناوه عاطفه، اسمعیلی و باعدی، جواد،1396،بررسی نظری خواص الکترونیکی پیزوالکتریک Ca3TaGa3Si2O14 باروش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شده خطی،سومین کنفرانس ملی مهندسی مواد، مهندسی شیمی و ایمنی صنعت�
ارائهشده در
مجموعه مقالات سومین کنفرانس ملی مهندسی مواد، مهندسی شیمی و ایمنی صنعتی19 مهر 1396