چکیده مقاله
فناوری نانو با به کارگیری قطعات بسیار کارآمد و فشرده طراحی مدارها را متحول کرده است یکی از اجزای اساسی در مدارهای منطقی دیجیتال گیت منطقی یا معکوس NOR دو ورودی است این گیت به عنوان یک گیت یونیورسال نقش مهمی در طراحی مدارهای منطقی ایفا میکند و بهبود آن میتواند اثر قابل توجهی در بهبود همه مدارهایی که با استفاده از آن ساخته میشود داشته باشد هدف اصلی این مقاله ارائه یک گیت منطقی NOR دو ورودی جدید است که مبتنی بر ترانزیستور اثر میدانی دو گیتی مولکولی و با استفاده از مولکول اولیگو پلی فنیلین اتینیلن OPE طراحی شده این مولکولها به دلیل ویژگیهای الکترونیکی برتر، اندازه نانومتری قابلیت خودآرایی و ویژگیهای قابل تنظیم مزایای زیادی در مدارهای دیجیتال ارائه میدهند خصوصیات نمودار ولتاژ جربان ترانزیستور پیشنهادی نشان دهنده رفتار مقاومت تفاضلی منفی NDR در محدودههای مختلف ولتاژ درین سورس است با بهره گیری از این ویژگی منحصربه فرد ترانزیستور مولکولی، پیشنهادی یک گیت منطقی NOR دو ورودی پیاده سازی شده است شبیه سازیهای پیشرفته با استفاده از روشهای تابع گرین غیر تعادلی NEGF و تابع چگالی DFT برای مدل سازی خواص انتقال کوانتومی انجام شده و عملکرد و قابلیت اطمینان ترانزیستور مولکولی در شرایط عملیاتی مختلف بررسی شده است
کلیدواژهها
نویسندگان
علی احمدی
دانشجوی کارشناسی ارشد معماری کامپیوتر؛ دانشگاه خاتم
معصومه تیرگر فاخری
پژوهشگر آزمایشگاه فناوری نانو و محاسبات کوانتومی گروه مهندسی کامپیوتر دانشگاه خاتم
محمد طهرانی
عضو هیئت علمی گروه مهندسی کامپیوتر؛ دانشگاه خاتم
شیوه ارجاع
�حمدی، علی و تیرگر فاخری، معصومه و طهرانی، محمد،1403،مدل جدیدی از گیت منطقی NOR دو ورودی با استفاده از ترانزیستور اثرمیدانی دو-گیتی مبتنی بر مولکول OPE،ششمین کنفرانس ملی دستاوردهای نوین در مهندسی برق، کامپیوتر و صنایع،اسفراین
ارائهشده در
مجموعه مقالات ششمین کنفرانس ملی دستاوردهای نوین در مهندسی برق، کامپیوتر و صنایع15 آبان 1403 · اسفراین