چکیده مقاله
ما دو مدل از ترانزیستورهای قدرت IGBT ، MOSFET را توضیح می دهیم هر دو با موفقیت برای تجزیه و تحلیل تداخل الکترومغناطیسی EMI و سازگاری الکترومغناطیسی EMC استفاده می شود و در هنگام مدل سازی سیستم های ولتاژ بالا است PFC ، DC/DC، اینورتر و غیره در اولین توضیحات ریاضی ما رفتار مدل ترانزیستور دوقطبی گیت عایق IGBT با بازخورد منفی غیرخطی را معرفی می کنیم که در لایه های نیمه هادی p و n تولید شده ، که در نزدیکی تماس فلزی با امیتر IGBT قرار دارند ، که برای توصیف بهتر خصوصیات دینامیکی ترانزیستور می باشد این مدل IGBT یک مدل ساده شده از ترانزیستور در اثر میدانی فلز اکسید نیمه هادی MOSFET که در IGBT برای ساده سازی استفاده می شود در دومین مدل میتوانیم رفتار ساده ای از هر دو IGBT ها و ماسفتها مدل سازی کنیم پارامترهای مدل از جداول اطلاعاتی به دست می آیند و سپس با استفاده از نتایج در یک تست اندازه گیری واحد تنظیم می کنیم نتایج مدلسازی برای انواع مختلف IGBT ها با روشن و خاموش کردن شکل موج ها اندازه گیری شده و مقایسه می شوند برای بررسی اعتبار سنجی مدل ها ، تست یک موتور براشلس بدون جاروبک را با اینورتر DC راه اندازی می کنیم باوجود سادگی مدل های ارائه شده ، الف مقایسه مدل پیشبینی ها با اندازه گیریهای سخت افزاری نشان می دهد که مدل دقیق است و پیش بینی گذارایی سوئیچ های EMI EMC کمک به تحقیقات ما می کند
کلیدواژه‌ها
نویسندگان
سیدمحمدرضا موسوی تقی آبادی
استادیار گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشگاه فنی و حرفه ای ،تهران
محمدآرمان آوان
دانشجوی کارشناسی ، گروه برق ، دانشگاه آزاد ، مشهد
آریان اولیایی
دانشجوی کارشناسی ، گروه برق ، دانشگاه آزاد ، مشهد
شیوه ارجاع
موسوی تقی آبادی، سیدمحمدرضا و آوان، محمدآرمان و اولیایی، آریان،1401،یک مدل اسپایس برای IGBT ها و MOSFETهای قدرتی با تمرکز بر EMI/EMC در سیستم های ولتاژ بالا،هشتمین کنفرانس بین المللی تحقیقات بین رشته ای در مهندسی برق، کامپیوتر، مکانیک و مکاترونیک در ایران و جهان اسلام،تهران
ارائه‌شده در
مجموعه مقالات هشتمین کنفرانس بین المللی تحقیقات بین رشته ای در مهندسی برق، کامپیوتر، مکانیک و مکاترونیک در ایران و جهان اسلام18 اسفند 1401 · تهران