فاطمه کهنی خشکبیجاری

شبیه سازی و تحلیل ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا HEMT مبتنی بر GaN با در نظر گرفتن اثر سد پشتی بر مشخصه های الکتریکی افزاره

لاتین HEMT مبتنی بر InAlN/GaN یک کاندید مناسب برای کاربردهای توان بالا، سرعت بالا و درجه حرارت بالا به ع…