شبیه سازی و تحلیل ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا HEMT مبتنی بر GaN با در نظر گرفتن اثر سد پشتی بر مشخصه های الکتریکی افزاره
لاتین HEMT مبتنی بر InAlN/GaN یک کاندید مناسب برای کاربردهای توان بالا، سرعت بالا و درجه حرارت بالا به علت ساختار ناهمگون InAlN / GaN و خواص برتر شکا…
شبیه ساز ATLASسد پشتی GaNترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا