چکیده مقاله
در این مقاله به بررسی تکنیکهای Dynamic Threshold voltage MOSFET DTMOS وBulk Driven به منظور طراحی مدارات مجتمع آنالوگ ولتاژ و توان پایین پرداخته شده است دو تکنیک ارائه شده برایطراحی تقویت کننده عملیاتی ولتاژ و توان پایین در ناحیه زیر آستانه جهت کاربردهای پزشکی با ولتاژ کاری 4 0 ولت مورد استفاده قرار گرفته است تقویت کننده عملیاتی در تکنولوی TSMC 0 18μm CMOS طراحی و شبیه سازیشده است با استفاده از تکنیک DTMOS بهره حلقه باز 26 66 دسیبل، پهنای باند بهره واحد 2 6 کیلوهرتز، حاشیه فاز 56 8 درجه و توان مصرفی 96 3 نانو وات می باشد و با استفاده از تکنیک Bulk driven بهره حلقه باز 05 5 دسی بل، پهنای باند بهره واحد 5 8 کیلوهرتز و حاشیه فاز 25 8 درجه و توان مصرفی 96 3 نانو وات می باشد نتایج حاصل ازشبیه سازی بیانگر این است که تکنیک DTMOS دارای بهره و پهنای باند بالاتری می باشد
کلیدواژهها
نویسندگان
هادی طاهرزاده
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس ، گروه مهندسی برق، بندرعباس، ایران،
علی تجویدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس ، گروه مهندسی برق، بندرعباس، ایران،
شیوه ارجاع
�اهرزاده، هادی و تجویدی، علی،1394،بررسی تکنیکهای Bulk-driven و DTMOS در طراحی مدارات تقویت کننده های عملیاتی ولتاژ و توان پایین،کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات سومین کنفرانس ملی محاسبات نرم علوم مهندسی در صنعت و جامعه1 اسفند 1402 · ایرانشهر