چکیده مقاله
در این مقاله شرایط مرزی در مرز اتصال نواحی ترانزیستور ماسفت مورد بحث قرار گرفته و نتایج آن ها بر روی مدل کامپکت اثر کانال کوتاه در ماسفت بررسی شده است ابتدا نشان داده که مدل قبلی VDT نتایج شبیه سازی را زمانی که ناحیه درین با دوز کم یا اسپیسر نازک در نظر گرفته شده باشد را محقق نمی کند راه حلی که برای آن پیشنهاد شده اصلاح مدل پتانسیل کانال با استفاده از شرایط مرزی دقیق در لبهکانال که از محاسبه یک مقدار دقیق و موثر پتانسیل درون ساخت در سورس و درین تشکیل شده است ، می باشد در ادامه تاثیر بهبودهای ایجاد شده در شرایط مرزی مدل کامپکت اثر کانال کوتاه بررسی شده است نشان داده شده مقادیر DIBL و SS در مدل قبلی VDT را می توان به سادگی در تمامی افزاره های ماسفت به مقدار مورد قبول در شبیه سازی و بدون تنظیم پارامترها اصلاح نمود که این در نهایت اجازه بررسی تاثیر غلظت دوپینگ اتصالها بر روی عملکرد افزاره را می دهد در ادامه با اصلاح مدل جدید و تاثیر خازن موثر گیت در آن نشان خواهیم داد که مدل جدید توافق بهتری با نتایج شبیه سازی خواهد داشت
کلیدواژهها
نویسندگان
همدم قناتیان
موسسه آموزش عالی پویش
شیوه ارجاع
قناتیان، همدم،1395،بررسی تاثیر شرایط مرزی در مدل کامپکت کانال کوتاه افزار MOSFET،دومین کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی در مهندسی برق و علوم کامپیوتر،رامسر
ارائهشده در
مجموعه مقالات دومین کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی در مهندسی برق و علوم کامپیوتر24 اردیبهشت 1395 · رامسر