فرمول تحلیلی تغییرات ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه
با اضافه کردن یک لایه عایق نازک دوم روی اکسید سیلیکون در لایه الماس در روش SOD میزان خازن حاشیه ای پارازیتی کاهش می یابد هنگامی که این لایه دوم باعث…
مجموعهای از مقالات و رویدادهای علمی مرتبط با «ماسفت» در نمایه علمیجو.
با اضافه کردن یک لایه عایق نازک دوم روی اکسید سیلیکون در لایه الماس در روش SOD میزان خازن حاشیه ای پارازیتی کاهش می یابد هنگامی که این لایه دوم باعث…
در این مقاله کارایی مدار کمپرسور یک ساختار افزاره چند گیتی FinFET با ساختار تک گیتی سنتی MOSFET مقایسه میشود ابتدا به مدل سازی و شبیه سازی تمام جمع ک…
در این مقاله، با استفاده از پلات فرم و سیستم عامل XIRAC یک مولد پالس ولتاژ بالا با قابلیت تغییر پارامترها، مبتنی بر قابلیتهای یک محصول کاربردی، طراحی…
در این مقاله شرایط مرزی در مرز اتصال نواحی ترانزیستور ماسفت مورد بحث قرار گرفته و نتایج آن ها بر روی مدل کامپکت اثر کانال کوتاه در ماسفت بررسی شده اس…
در این مقاله، چهار مدار تمام جمع کننده مد جریان ارایه شده با فناوری CMOS با هم مقایسه می شوند سپس این مدارها باا ترانز یستورهایCNTFET پیکربندی مجدد ش…