چکیده مقاله
در این مقاله به ارائه و بررسی ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی تونلی JLTFET و ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی JLFET پرداخته شده است که با استفاده از شبیه سازی ایده های مهندسی گیت همچون استفاده از گیت چند فلزی در صدد بهبود پارامترهای الکتریکی ترانزیستور فوق مثل جریان روشنایی، جریان خاموشی، نسبت جریان روشناییبه خاموشی و هستیم با بررسی شبیه سازی های صورت گرفته، نتایج ساختارهای مختلف با یکدیگر مقایسه شده و ساختار بهبود یافته معرفی می شود
کلیدواژهها
نویسندگان
محمد جواد کوچک پور
کارشناس ارشد مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد رشت
شیوه ارجاع
کوچک پور، محمد جواد،1398،شبیه سازى و تحلیل مقایسه ای ترانزیستور های JLTFET و JLTFET با هدف تعیین میزان اثر پذیرى شاخص هاى مهم از مهندسى گیت،ششمین کنگره ملی تازه های مهندسی برق و کامپیوتر ایران با نگاه کاربردی بر انرژی های نو،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات ششمین کنگره ملی تازه های مهندسی برق و کامپیوتر ایران با نگاه کاربردی بر انرژی های نو12 اردیبهشت 1398 · تهران