چکیده مقاله
پژوهش در مدارهای مجتمع آنالوگ به سمت طراحی مدارات ولتاژ پایین LV و توان پایین LP سوق یافته است مدارهای ولتاژ پایین باید دارای مصرف انرژی کم برای حفظ باتری و طول عمر طولانی تر آن باشند در حال حاضر، تکنولوژی های سنتی حالت ولتاژ در حال جایگزینی با رویکرد حالت جریان است که دارای مزیت شناخته شده برای غلبهبر محدودیت های بهره پهنای باند تقویت کننده های عملیاتی هستند تجهیزات حالت جریان به بهره ولتاژ بالا نیاز نداشته و دارای عملکرد خوب از نظر سرعت، پهنای باند و دقت هستند در این مقاله، نقاله جریان تفاضلی کامل گیت شبه شناور راه انداز بالک با ولتاژ تغذیه و توان مصرفی پایین BD–QFG FDCCII که برای کاربردهای پردازش سیگنال مناسب است، معرفی می شود تکنیک راه انداز بالک برای دستیابی به ولتاژ تغذیه پایین تر از نیم ولت و گسترش دامنه تغییرات ولتاژ ورودی و روش گیت شبه شناور برای دستیابی به عملکرد فرکانس بالا استفاده می شود قابلیت های مدار و بهبود ارائه شده با شبیه سازی در نرم افزار HSPICE و با استفاده از تکنولوژی TSMC با فنآوری 0/18 میکرومتر و مکمل اکسید فلزی نوع N با ولتاژ 0/4 ولت و توان مصرفی 6/96 میکرووات انجام شده است
کلیدواژهها
نویسندگان
شیوه ارجاع
�کرپور سیس، جلیل و پیشگر کومله، سید حسین و گل محمدی، مهدی،1398،طراحی و شبیه سازی نقاله جریان تفاضلی کامل با استفاده از روش ماسفت های Bulk-Driven،ششمین کنگره ملی تازه های مهندسی برق و کامپیوتر ایران با نگاه کاربردی بر انرژی های نو،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات ششمین کنگره ملی تازه های مهندسی برق و کامپیوتر ایران با نگاه کاربردی بر انرژی های نو12 اردیبهشت 1398 · تهران