بررسی و شبیه سازی مدل فیزیکی مقاومت حافظه دار و خازن حافظه دار و کاربرد آنها در یک مدار تولید آشوب

چکیده مقاله

ممریستور یا مقاومت حافظه دار که به عنوان چهارمین عنصر پایه بعد از مقاومت، خازن و سلف معرفی شده است، یک قطعه دو پایه است که در ابعاد مقیاس نانو ساخته شده است عناصر دیگری از خانواده عناصر حافظه دار نظیر خازن های حافظه دار و سلف های حافظه دار شناسایی و پیاده سازی شده اند این المان ها که به قطعات ممریستیو معروف هستند در مقیاس نانو قابل پیاده سازی بوده و به راحتی می توان رفتار آن ها را با مدارات الکترونیکی شبیه سازی کرد در این مقاله برای اولین بار مدل فیزیکی المان های ممریستیو نظیر ممریستور و خازن حافظه دار در نرم افزار ADS Advanced Design System بررسی شده و در نهایت کاربرد آن ها، در یک نمونه مدار الکترونیکی بررسی و شبیه سازی شده است

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

قربد ستوده

اراک دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اراک ایران

علی خاکی صدیق

تهران دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی ایران

محسن نجفی

اراک دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اراک ایران

مسعود دوستی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ایران

�توده، قربد و خاکی صدیق، علی و نجفی، محسن و دوستی، مسعود،1394،بررسی و شبیه سازی مدل فیزیکی مقاومت حافظه دار و خازن حافظه دار و کاربرد آنها در یک مدار تولید آشوب،کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر،تهران

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات سومین کنفرانس ملی محاسبات نرم علوم مهندسی در صنعت و جامعه1 اسفند 1402 · ایرانشهر