چکیده مقاله
مدارمرجع ولتاژ CMOS باجبران سازی منحنی مرتبه بالا ازدما دراین مقاله پیشنهاد شدها ست ساختارمدار فقط ازترانزیستور های CMOS که غالبا درناحیه زیراستانه بایاس شده اند تشکیل شده است و فاقد مقاومت و ترانزیستورهای BJT است
کلیدواژهها
نویسندگان
ابراهیم فرشیدی
دانشیارعضو هیئت علمی گروه برق دانشکده مهندسی دانشگاه شهیدچمران اهواز
عادل بغلانی
کارشناسی ارشدالکترونیک دانشگاه شهیدچمران اهواز
شیوه ارجاع
فرشیدی، ابراهیم و بغلانی، عادل،1394،تحلیل وطراحی مرجع ولتاژ شکاف انرژی CMOS باجبرانسازی منحنی،کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات سومین کنفرانس ملی محاسبات نرم علوم مهندسی در صنعت و جامعه1 اسفند 1402 · ایرانشهر