مدلسازی ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت دو گیتی با گیت دو مادهای متقارن در حضورحاملهای بار متحرک

چکیده مقاله

در این مقاله یک مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی کانال ترانزیستور ماسفت دوگیتی دومادهای متقارن در حضور حاملهای بار آزاد کانال ارایه میشود پتانسیل به صورت مجموع دو مولفه کانال بلند یک بعدی در راستای عمودبر کانال و مولفه کانال کوتاه دوبعدی ناشی از اثر میدان عرضی بیان میشود با استفاده از مدل پتانسیل ارایه شده و مفهوم کاتد مجازی و مسیر هدایت موثر، روابط تحلیلی برای ولتاژ آستانه و کاهش سد پتانسیل با القای درین ارایه میشود مدل پیشنهادی در همه شرایط کاری ترانزیستور زیر و بالای آستانه صادق است

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

نسیم سلیمانی

گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد

سیدامیر هاشمی

گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد

�لیمانی، نسیم و هاشمی، سیدامیر،1395،مدلسازی ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت دو گیتی با گیت دو مادهای متقارن در حضورحاملهای بار متحرک،چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر،تهران

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر23 دی 1395 · تهران