سیدامیر هاشمی

مدلسازی ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت دو گیتی با گیت دو مادهای متقارن در حضورحاملهای بار متحرک

در این مقاله یک مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی کانال ترانزیستور ماسفت دوگیتی دومادهای متقارن در…

مدل تحلیلی دوبعدی پتانسیل کانال درنانوماسفت های گیت احاطه شده بااستفاده ازتئوری مقیاس درحضوربارهای متحرک

دراین مقاله روشی برای محاسبه پتانسیل الکتریکی کانال ترانزیستور باگیت احاطه شده دردوبعد و درحضوربارهای مت…