مقایسه مدل های کلاسیک و کوانتومی در شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای

چکیده مقاله

در این مقاله ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای InAs با استفاده از مدل انتقال رانش نفوذ و همچنین مدل تابع گرین در محیط نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است ما در این مقاله به بررسی و مقایسه دو مدل انتقالرانش نفوذ و تابع گرین در مقیاس های کوچک پرداخته ایم نتایج نشان می دهند که با استفاه از مدل تابع گرین جریان و رسانندگی ترانزیستور نسبت به شبیه سازی ترانزیستور با انتقال رانش نفوذ افزایش می یابد

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

غزال ذوالفقاری

گروه مهندسی برق الکترونیک، پردیس علوم و تحقیقات دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران

حجت اله خواجه صالحانی

گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران

�والفقاری، غزال و خواجه صالحانی، حجت اله،1395،مقایسه مدل های کلاسیک و کوانتومی در شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای،چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر،تهران

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر23 دی 1395 · تهران