م مقاله کنفرانسی سال ۱۳۹۵ ۵۲۶ مشاهده مقایسه مدل های کلاسیک و کوانتومی در شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای در این مقاله ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای InAs با استفاده از مدل انتقال رانش نفوذ و همچنین مد… نانوسیممدل انتقالتابع گرین