شبیهسازی و تحلیل اثر غلظت آلایش بر روی شاخص فرکانس قطع در ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس

چکیده مقاله

در سالهای اخیر بحث فناوریهای جایگزین برای فناوریCMOS به شدت رونق گرفته است، که در این میان فناوری نانو الکترونیک بسیار مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی به عنوان یکی ازپرکاربردترین ادوات نانو الکترونیک آینده در حوزهی دیجیتال و آنالوگ در پژوهشهای فراوانی مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است، که از جمله کاربرد های آن، در حوزهی فرکانس بالا میباشد در این پژوهش، ما با استفاده از فرمولبندی تابعگرین غیر تعادلی، تأثیر میزان غلظت آلایش را بر روی شاخص فرکانس قطع افزارهی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی باآلایش سبک درین و سورس شبیهسازی کرده و مورد تحلیل قرار دادهایم همچنین ثابت کردهایم که کاهش غلظت آلایش ناحیه با آلایش سبک، اگرچه باعث کاهش نرخ جریان روشن به خاموش، بهخصوص در جریانهای روشن بزرگ میشود، اما عملکرد فرکانسی ترانزیستور را در محدودهی وسیعی از ولتاژ گیت سورس به خوبی بهبود میبخشد

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

محمدجواد توکلی سراوانی

گروه برق موسسه آموزش عالی مهرآستان

سیدعلی صدیق ضیابری

گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت

�وکلی سراوانی، محمدجواد و صدیق ضیابری، سیدعلی،1394،شبیهسازی و تحلیل اثر غلظت آلایش بر روی شاخص فرکانس قطع در ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس،کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر،تهران

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات سومین کنفرانس ملی محاسبات نرم علوم مهندسی در صنعت و جامعه1 اسفند 1402 · ایرانشهر