چکیده مقاله
مطالعات انجام شده در زمینه طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ و دیجیتال نشان می دهدکه استفاده ازترانزیستورهای نانو لوله کربنی تاثیر بسزایی درافزایش سرعت ،کاهش زمان تاخیر و توان مصرفی دارد دراین مقاله نیز یک لچ SR ، با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی طراحی و شبیه سازی شده و نتایج شبیه سازی آن با نتایج لچ SR طراحی شده با ترانزیستور های اثر میدانی سیلیکونی مقایسه شده است در این مقاله همچنینسعی شده که با تغییر پارامترهای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی به بهترین جواب از نظر سرعت و توان مصرفی دست یابیم
کلیدواژهها
نویسندگان
مائده بهرامی
دانشجوی دکتری دانشگاه آزاد یزد
محمدجعفر تقی زاده
استادیار گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد مهریز
شیوه ارجاع
�هرامی، مائده و تقی زاده، محمدجعفر،1394،طراحی وشبیه سازی لچ SR به کمک ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی برنانو لوله های کربنی،کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات سومین کنفرانس ملی محاسبات نرم علوم مهندسی در صنعت و جامعه1 اسفند 1402 · ایرانشهر