چکیده مقاله
دراین مقاله طراحی پروفایل ناخالصی درترانزیستورهای PHEMT مورد بررسی قرارگرفته است به این منظور دوترانزیستور یکی باالایش یکنواخت ودیگری باالایش غیریکنواخت لایه ی سد درنظر گرفته شده و اثرتغییر مقدارناخالصی درترکیب سه تایی AlxGa1 xAs بررسی شده است بررسی ها نشان میدهد که باافزایش مقدارناخالصی لایه ی سد جریان درین بیشینه و گستره ی غیرصفر هدایت انتقالی افزایش می یابد که این افزایش برای فرکانسهیا قطع fTو fMAX تامقدار ناخالصی خاصی اتفاق می افتد و بعدازآن کاهش فرکانس قطع روی میدهد افزایش ناخالصی بیش از حد نیز سبب افزایش جریان انگلی می شود جداازتفاوت های دوشیوه ی الایش یکنواخت و غیریکنواخت که درکارهای قبلی بررسی شده است مقایسه نتایج شبیه سازی ها نشان داد درشیوه الایش یکنواخت برای داشتن فرکانس قطع بیشتر باید جریان درین و درنتیجه توان کاهش یابد و این درحالیست که درالایش غیریکنواخت همزمان بیشترین جریان به همراه فرکانس بیشینه بدست می آید
کلیدواژهها
نویسندگان
محسن حق پناه
دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه صنعتی مالک اشتر
علیرضا عرفانیان
استادیار دانشکده برق و الکترونیک دانشگاه صنعتی مالک اشتر
احمد عفیفی
استادیار دانشکده برق و الکترونیک دانشگاه صنعتی مالک اشتر
سیدغیاث الدین طباطبایی پور
دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه صنعتی مالک اشتر
شیوه ارجاع
�ق پناه، محسن و عرفانیان، علیرضا و عفیفی، احمد و طباطبایی پور، سیدغیاث الدین،1394،طراحی پروفایل نا خالصی بهینه در ساختار ترانزیستور GaAs PHEMT،کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات سومین کنفرانس ملی محاسبات نرم علوم مهندسی در صنعت و جامعه1 اسفند 1402 · ایرانشهر