محاسبه ضریب جذب فوتون درنقاط کوانتومی دایره ای تک لایه و دولایه بکاررفته بعنوان جاذب نور

چکیده مقاله

امروزه بکارگیری گرافن وساختارهای نانوی آن درصنعت الکترونیک و الکترونیک نوری توسعه زیادی پیدا کرده است یکی ازمهمترین ساختارهای گرافن نقاط کوانتومی گرافنی است که بعنوان جاذب نور خواص بسیارممتازی دارد بکارگیری این ساختار درشاخه های مختلف الکترونیک باعث شده تامقالات و رساله های زیادی درخصوص تحلیل این ساختارنوشته شود دراغلب موارد نقاط مذکور بشکل مثلثی و یا شش ضلعی باشرایط مرزی زیگزاگ و دسته صندلی فرض میشوند درعمل باتوجه به ساختارخاص این نقاط دایره ای فرض میشوند تاکنون نقاط کوانتومی دایره ای تک لایه مورد بررسی و تحلیل قرارگرفته اند قصد اصلی مادراین مقاله محاسبه ضریب جذب برای این نقاط می باشد نتایج نیز مورد ارزیابی قرارگرفته است

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

شهریار تمندانی

دانشجوی دکتری برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات

غفار درویش

دکتری برق الکترونیک عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات

�مندانی، شهریار و درویش، غفار،1394،محاسبه ضریب جذب فوتون درنقاط کوانتومی دایره ای تک لایه و دولایه بکاررفته بعنوان جاذب نور،کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر،تهران

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات سومین کنفرانس ملی محاسبات نرم علوم مهندسی در صنعت و جامعه1 اسفند 1402 · ایرانشهر