چکیده مقاله
در این پژوهش به بررسی آثار کانال کوتاه در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته و تاثیر ایجاد آلایش هاله گون تحت انرژی و زوایای مختلف را بر حاملهای داغ پرداخته شده است این روش نشان می دهد که ایجاد آلایش هاله گون با زاویه ای بزرگتر یا انرژی بیشتر باعث بهبود پیچش ولتاژ آستانه میشود بنابراین اثر حامل های داغ در این نواحی بیشتر میشود که ترانزیستورهای دارای آلایش هالهگون ایجادشده با انرژی پایین تر و زاویه بزرگتر نسبت به ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی بالاتر و زاویه کوچکتر دارای اثر حاملهای داغ کمتری خواهند بود در نتیجه با ایجاد آلایش هاله گون اثر DIBL و پیچش ولتاژ آستانه و Ioff بهبود مییابد
کلیدواژهها
آلایش هاله گون ترانزیستور MOSFET توزیع ناخالصی
نویسندگان
رضا نصرتی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد پردیس سیرجان
مهران ابدالی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد پردیس سیرجان
شیوه ارجاع
نصرتی، رضا و ابدالی، مهران،1398،تاثیر توزیع ناخالصی های بستر بر عملکرد ترانزیستور MOSFET با آلایش هاله گون در سورس و درین،پنجمین کنفرانس بین المللی نوآوری و تحقیق در علوم مهندس�
ارائهشده در
مجموعه مقالات پنجمین کنفرانس بین المللی نوآوری و تحقیق در علوم مهندسی10 اسفند 1398