بررسی ترانزیستورهای نانو

چکیده مقاله

اثرات دوپینگ روی عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی CNT نانولوله کربنی برای هر دو مانع شاتکی SB صفر و اتصالات نانولوله کربنی دوپ شده به لحاظ نظری بررسی شده اند برای CNTFETs فوق العاده کوچک که در آن اتصالات فلزی سورس/درین با 50 نانومتر فاصله از هم قرار می گیرند، هیچ CNTFET با اتصال MOSFETمانند C CNTFET با یک نسبت جریان روشن / خاموش قابل قبول با استفاده از CNT با قطر 1,5≥ نانومتر و یک ولتاژ سورس/درین V 0,4≥ وجود ندارد برای CNTFETs با اتصالات فلزی سورس/درین 50نانومتر یا 100 نانومتر از هم جدا، غلظت دوپینگ بهینه شده دوپ کننده در هر اتم وجود دارد حداکثر نسبت های جریان روشن /خاموش برای 50 CNT نانومتر/ گیت 5 نانومتر و 100 CNT نانومترSB CNTFETs / گیت 10 نانومتر به ترتیب و بودند معیارهای عملکرد زمان تاخیر، فرکانس قطع، و فرکانس LC ارائه و مقایسه می شوند

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

الهام محمدی

کارشناسی ارشد معماری سیستم های کامپیوتری ، مدرس دانشگاه فنی و حرفه ای کرمان

آیدا حاج محمدی

دانشجوی رشته کامپیوتر، دانشکده حضرت فاطمه س ، دانشگاه فنی و حرفه ای استان کرمان ایران

محمدی، الهام و حاج محمدی، آیدا،1399،بررسی ترانزیستورهای نانو،هشتمین کنفرانس بین المللی نوآوری و تحقیق در علوم مهندس�

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات هشتمین کنفرانس بین المللی نوآوری و تحقیق در علوم مهندسی2 اسفند 1399