چکیده مقاله
در این مقاله ساخت پوشش لایه های نازکIn2O3 با استفاده از روش تبخیر حرارتی در ضخامت های 200 نانومتر با آهنگ لایه نشانیnm/s 1/0 در دماهای بازپخت متفاوت 300، 400، 500 ودرجه سانتیگراد550 انجام شد سپس ویژگی های اپتیکی لایه ها در این دماها مورد بررسی قرار گرفت در این مطالعه همه نمونه های بازپخت شده، نشان دهنده عبور بالا در طیف نور مرئی است در طول موج nm550 بیش ترین عبور 89% برای لایه های بازپختی در دمای درجه سانتیگراد400 و کم ترین عبور برای لایه های بازپختی درجه سانتیگراد300 به دست آمد ضریب شکست نمونه های مختلف در این طول موج، در محدوده 1/2 7/1 به دست آمد هم چنین با اضافه کردن ناخالصی قلع به اکسید ایندیوم با درصد ITO SnO210% In2O390%، زمان پاسخ 8 ثانیه را برای آشکارسازی ppm1500 بخار اتانول مشاهده کردیم
کلیدواژه‌ها
نویسندگان
نسرین جمال پور
گروه فیزیک، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
محسن قاسمی ورنامخواستی
گروه فیزیک، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد پژوهشکده نانوفناوری، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
ویشتاسب سلیمانیان
گروه فیزیک، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد پژوهشکده نانوفناوری، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
شیوه ارجاع
�مال پور، نسرین و قاسمی ورنامخواستی، محسن و سلیمانیان، ویشتاسب،1395،تاثیر دمای بازپخت بر خواص اپتیکی لایه های نازک نیم رسانای اکسیدی In2O3 به منظور آشکارسازی بخار اتانول،اولین کنفرانس ملی مهندسی انرژی و نانو فناوری ایران،تهران
ارائه‌شده در
مجموعه مقالات اولین کنفرانس ملی مهندسی انرژی و نانو فناوری ایران3 اسفند 1395 · تهران