تاثیر دمای بازپخت بر خواص اپتیکی لایه های نازک نیم رسانای اکسیدی In2O3 به منظور آشکارسازی بخار اتانول
در این مقاله ساخت پوشش لایه های نازکIn2O3 با استفاده از روش تبخیر حرارتی در ضخامت های 200 نانومتر با آهنگ لایه نشانیnm/s 1/0 در دماهای بازپخت متفاوت…
تبخیر حرارتیآشکارسازی اتانولاکسیدهای نیم رسانای شفاف