بررسی و ارزیابی مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله کربنی برای کاربردهای دیجیتالی

چکیده مقاله

در این مقاله به بررسی و ارزیابی مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله کربنی می پردازیم این ترانزیستورها یکی از قابل اعتمادترین موارد برای جایگزینی در آیندهای نه چندان دور به واسطه مشخصاتالکترواستاتیکی و موبیلیتی بالاتر می باشند این ترانزیستورها شامل پارامترهای مختلفی از قبیل ولتاژ کار، تعداد لولهقطر لوله، گام، مواد مورد استفاده و ثابت دیالکتریک میباشند که کاربری و عملکرد مدارهای دیجیتال را معینمی کنند این مطالعه به بررسی اثر پارامترهای متفاوت بر روی عملکرد ترانزیستور می پردازد و یک روش جدید برایطراحی و بهینه سازی مشخصه های الکتریکی شامل تاخیر، مصرف انرژی، قابلیت راهاندازی و در مدارهای دیجیتالیمعرفی می کند

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

رضا ثابت قدم

دانشجو کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه حکیم سبزواری

رضا علوی

دانشجو کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه بین المللی امام رضا مشهد

�ابت قدم، رضا و علوی، رضا،1397،بررسی و ارزیابی مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله کربنی برای کاربردهای دیجیتالی،دومین کنفرانس زیرساخت های انرژی،مهندسی برق و نانو فناوری،تهران

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات دومین کنفرانس زیرساخت های انرژی،مهندسی برق و نانو فناوری19 اردیبهشت 1397 · تهران