حوزه علمی

ترانزیستور

مجموعه‌ای از مقالات و رویدادهای علمی مرتبط با «ترانزیستور» در نمایه علمی‌جو.

۸ مقاله ۰ کنفرانس ۸ ارتباط علمی
پژوهش‌های مرتبط

مقالات حوزه ترانزیستور

مقاله کنفرانسی سال ۱۳۹۶ ۱,۴۱۳ مشاهده

مطالعه خواص و مشخصات نانو ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی

با توجه به افزایش روز افزون نیاز به تراشه هایی با ابعاد کوچک تر ، استفاده از فناوریهای جدید در ساخت ترانزیستورها به عنوان جزء اصلی تراشه ها ضروری به…

نانولوله های کربنیترانزیستوربارهای الکتریکی
مقاله کنفرانسی سال ۱۳۹۴ ۱,۳۹۲ مشاهده

ارزیابی الگوریتم های رمز با استفاده از حملات کانال جانبی

در حال حاضر رمزگشایی و ارزیابی الگوریتم های رمزنگاری توسط دو روش متداول یعنی رمزگشایی از طریق حملات کلاسیک و دیگری رمزگشایی از طریق حملات سخت افزاری…

رمزگشاییرمزنگاریحملات کانال جانبی
مقاله کنفرانسی سال ۱۳۹۳ ۱,۰۵۵ مشاهده

سنتز و بررسی ویژگی های نانو کامپوزیت اکسید لانتانیم تزریق شده با نانو ذرات آلومینیم و قلع برای تراشه های الکترونیکی آتی

گیت دی الکتریکاکسید لانتانیمآلومینیم و قلع
مقاله کنفرانسی سال ۱۴۰۱ ۶۰۳ مشاهده

انواع ترانزیستور های اثر میدانی، بررسی عملکرد و تفاوت آنها

ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات الکترونیکی و یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می شود یک ترانزیستور در…

ترانزیستوردوقطبیدیجیتال
مقاله کنفرانسی سال ۱۳۹۷ ۵۹۴ مشاهده

بررسی و ارزیابی مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله کربنی برای کاربردهای دیجیتالی

در این مقاله به بررسی و ارزیابی مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله کربنی می پردازیم این ترانزیستورها یکی از قابل اعتمادترین مو…

موبیلیتیترانزیستوربهینه سازی
مقاله کنفرانسی سال ۱۴۰۳ ۳۰۷ مشاهده

قرائتگر اشکارساز CTIA : مزایا و پیشرفت ها

مدار CTIA تقویتکننده ترانسمپدانس خازنی یک راهکار کلیدی در سیستم های تصویربرداری مادون قرمز IR برای تبدیل سیگنال های جریان ضعیف از آشکارسازها به ولتاژ…

CTIAIRقرائتگر آشکارساز
مقاله کنفرانسی سال ۱۴۰۲ ۲۶۹ مشاهده

بررسی و تحلیل چند نمونه از ترانزیستور های اثر میدان و تفاوت آنها با ترانزیستورهای دو قطبی

ترانزیستوردوقطبیترانزیستور اثرمیدانی
مقاله کنفرانسی سال ۱۴۰۳ ۲۴۰ مشاهده

مروری بر ترانزیستورهای FET نسبت به ترانزیستورهایBJT

اولین ترانزیستور در سال۱۵۹۱عرضه شد و میتوان آن را به عنوان یکی از مهمترین اختراعات قرن بیستم در نظر گرفت این المان نیمه هادی به سرعت در حال توسعه است…

ترانزیستوراثر میدانBjt