چکیده مقاله
در این مقاله واحد های حافظه SRAM مورد مطالعه قرار می گیرد، همچنین به نحوه طراحی سلول های حافظه با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی پرداخته می شود هدف از این تحقیق معرفی سلول جدید حافظه با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله ی کربنی است که به نسبت به مدل cmos مشابه آن، تأخیر کمتر و نیز توان مصرفی پایین تری داشته باشد این تحقیق به کمک ابزار شبیه سازی Hspice و با به کارگیری مدل ارائه شده در دانشگاه Stanford 2012 انجام شده است نتایج نشان می دهد مدارات معرفی شده در مقایسه نمونه های قبلی دارای خصوصیات و پارامترهای مداری بهتری هستند همچنین با توجه به شبیه سازی انجام شده در نرم افزار Hspice دینامیک حدود 10% و PDP حدود 34% کاهش یافته است
کلیدواژهها
نویسندگان
حلیمه طاهریان
گروه کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان
پیمان کشاورزیان
گروه کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی کرمان
شیوه ارجاع
�اهریان، حلیمه و کشاورزیان، پیمان،1394،طراحی و شبیه سازی واحد های حافظه SRAM 7 ترانزیستوری با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی،کنفرانس ملی دستاورهای نوین در برق وکامپیوتر،اسفراین
ارائهشده در
مجموعه مقالات کنفرانس ملی دستاورهای نوین در برق وکامپیوتر8 مهر 1394 · اسفراین